Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» icon

Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»



НазваПояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
Дата конвертації05.07.2013
Розмір70.33 Kb.
ТипПрограма
скачать >>>



ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА


Для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного університету розвитку людини «Україна» передбачений конкурсний відбір за результатами фахового вступного випробування.

Програма фахового вступного випробування для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр» за напрямом підготовки 6.050802 «Електронні пристрої та системи» на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» має комплексний характер, створена у відповідності зі змістом основних профільних дисциплін спеціальності в частині фундаментальної та професійно-практичної підготовки.

У процесі підготовки до фахового вступного випробування рекомендується користуватися основною літературою, яку подано наприкінці програми.

Фахове вступне випробування проводиться у формі тестування. Програма містить критерії оцінювання результатів тестування. Конкурсний бал обчислюється за п’ятибальною шкалою.


^ ЗМІСТ ПРОГРАМИ

Програма охоплює низку дисциплін, таких як «Теорія електричних кіл», «Елементна база електронних пристроїв», «Пристрої аналогової електроніки».


^ ПЕРЕЛІК ОСНОВНИХ ПИТАНЬ ПРОГРАМИ

Сигнали в радіоелектроніці. Класифікація сигналів: аналогові, модульовані, цифрові сигнали. Лінійні та нелінійні спотворення сигналів. Завади і шуми в радіоелектронних пристроях. Структурна схема радіоканалу. Радіоелектронні пристрої оброблення аналогових і модульованих сигналів, їх призначення і місце в радіоелектронній апаратурі. Основні процеси оброблення сигналів у радіоелектронних колах: підсилення, модуляція, демодуляція, генерування, перетворення та помноження частоти.


Розділ 1. Режими роботи активних електронних компонентів у радіоелектронних колах

1.1. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора і графічний аналіз режимів його роботи. Статичний режим, динамічний режим, ключовий режим. Вибір початкової робочої точки на характеристиках транзистора в статичному режимі, що забезпечує належний режим роботи. Допустимі величини струмів, напруг і потужностей транзисторів.

1.2. Кола живлення біполярних транзисторів. Основні вимоги до кіл живлення: забезпечення умов протікання сталих складових струмів бази, колектора, емітера, що необхідно для роботи транзистора в активному режимі; стабілізація статичного режиму. Схемотехнічна реалізація кіл живлення біполярних транзисторів. Розрахунок елементів кіл живлення з метою одержання заданого статичного режиму.

1.3. Вхідні та вихідні характеристики польових транзисторів різних типів: з p-n-переходом, із ізольованим затвором, зі вбудованим і наведеним каналом. Графічний аналіз режимів роботи польового транзистора. Особливості роботи польових транзисторів.

1.4. Кола живлення польових транзисторів. Основні вимоги до кіл живлення: забезпечення напруги зміщення на затворі та умов протікання сталих складових струмів, стабілізація статичного режиму транзисторів. Схемотехнічна реалізація кіл живлення польових транзисторів. Розрахунок елементів кіл живлення з метою одержання заданого статичного режиму.


Розділ 2. Електронні підсилювачі

2.1. Призначення підсилювачів та основні вимоги до них. Параметри підсилювачів: коефіцієнти підсилення напруги, струму, потужності, вхідний та вихідний опори. Характеристики підсилювачів: часові (перехідна та імпульсна) і частотні (АЧХ, ФЧХ). Нелінійні спотворення сигналів у підсилювачах і їх вимірювання, коефіцієнт гармонік. Динамічний діапазон підсилювача, логарифмічна шкала децибел. Зв’язок параметрів багатокаскадного підсилювача з параметрами його каскадів.

2.2. Резистивні підсилювальні каскади на біполярних транзисторах: схеми зі спільним емітером, спільною базою, спільним колектором. Реалізація кіл подачі та знімання сигналу. Параметри каскадів різних схем вмикання транзистора. Малосигнальні схеми заміщення підсилювального каскаду в області низьких, середніх та високих частот, частотні характеристики. Корекція частотних характеристик в області низьких та високих частот, широкосмугові підсилювачі.

2.3. Селективні підсилювачі. Резонансні підсилювачі. Вибір коефіцієнта ввімкнення резонансного контуру. Засоби підвищення прямокутності частотної характеристика каскаду. Селективні каскади з розширеною смугою частот. Схеми з фільтрами зосередженої вибірковості.

2.4. Підсилювачі постійного струму. Проблема дрейфу нуля. Схеми зміщення напруги: генератори постійного струму, струмове дзеркало. Схема Дарлінгтона. Диференціальний каскад. Способи подачі та знімання сигналів у диференціальному каскаді, подавляння синфазного сигналу. Операційні підсилювачі. Особливості схем операційних підсилювачів в інтегральному виконанні. Основні схеми ввімкнення операційних підсилювачів: інвертуючі та неінвертуючі підсилювачі, функціональні пристрої на ОУ — диференціатор, інтегратор, суматор. Активні фільтри на ОУ.

2.5. Підсилювачі потужності. Вихідна потужність і коефіцієнт корисної дії каскаду. Режими роботи вихідних каскадів А, В, С, їх особливості, потужність і к.к.д. Залежність вихідної потужності від опору навантаження. Нелінійні спотворення та їх розрахунок. Метод 3-х та 5-ти ординат. Схемотехніка безтрансформаторних підсилювачів потужності, двотактний каскад, фазоінверсні каскади, мостова схема.

2.6. Зворотний зв’язок у підсилювачах. Значення зворотних зв’язків у техніці. Основна формула зворотного зв’язку, зворотне відношення та зворотна різниця. Позитивний та негативний зворотний зв’язок. Умови стійкості та самозбудження підсилювачів. Види зворотних зв’язків: послідовний та паралельний, зв’язок за напругою та за струмом. Вплив зворотних зв’язків різних видів на параметри і характеристики підсилювачів: вхідний та вихідний опори, частотні характеристики, нелінійні спотворення. Реалізація зворотних зв’язків в електронних підсилювачах.


Розділ 3. Нелінійні пристрої обробки аналогових та модульованих сигналів

3.1. Нелінійні пристрої формування сигналів: обмежувачі, компаратори, тригери. Функціональні підсилювачі: логарифмічний, антилогарифмічний. Аналогові помножувачі сигналів, принципи побудови та схемні реалізації.

3.2. Модульовані сигнали: сигнали з амплітудною модуляцією і з кутовою (частотною, фазовою) модуляцією, їх математичні моделі, параметри та спектри.

3.3. Нелінійні пристрої перетворення спектрів сигналів. Загальні принципи реалізації процесів модуляції, детектування, перетворення та помноження частоти.

3.4. Помножувачі частоти. Вибір оптимальних режимів для подвоювачів та потроювачів частоти. Гармонічний аналіз методом кута відсічки. Схемні реалізації помножувачів частоти.

3.5. Перетворювачі частоти. Вибір оптимальних режимів для перетворювачів частоти. Гармонічний аналіз методом кратних дуг. Схемні реалізації перетворювачів частоти.

3.6. Амплітудні модулятори. Вибір оптимальних режимів амплітудних модуляторів. Схемні реалізації амплітудних модуляторів. Синхронний детектор.

3.7. Частотні модулятори, принципи побудови, схемні реалізації, схема на реактивному транзисторі. Фазові модулятори, принципи побудови, схемні реалізації.

3.8. Амплітудні детектори. Квадратичний та лінійний режими детектування. Схеми діодних детекторів. Амплітудні детектори на операційних підсилювачах.

3.9. Частотні детектори, принципи побудови, схемні реалізації, фазочастотний дискримінатор. Фазові детектори, принципи побудови, схемні реалізації, демодуляція ФМ-сигналів у частотних детекторах.

3.10. Генерування гармонічних коливань. Загальні принципи побудови генераторів. Умови самозбудження генераторів: баланс фаз та баланс амплітуд. Схемні реалізації генераторів: LC-генератори, RC-генератори. Генератори імпульсних коливань: мультивібратори, функціональні генератори.


^ СПИСОК РЕКОМЕНДОВАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ


Основна література:

1. Гринфилд Дж. Транзисторы и линейные ИС: Рукводство по анализу и расчету. Пер. с англ. — М.: Мир, 1992. — 320 с., ил.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. — М.: Высш. шк., 1991. — 362 с., ил.

3. Расчет электронных схем: Учеб. пособие для вузов по спец. электрон. техн. / Г. И. Изъюрова, Г. В. Королев, В. А. Терехов и др. — М.: Высш. шк., 1987. — 335 с.; ил.

4. Манаев В.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие для вузов. — 2-изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985. — 488 с., ил.

5. Сташук В.Д. Інженерні розрахунки радіоелектронних кіл: Навч. посіб. — К.: ІВЦ „Видавництво Політехніка”, 2002. — 140 с., іл.

6. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем. — М.: Мир, 1982. — 512 с., ил.


Додаткова література:

7. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника: Учеб. пособие для вузов / под ред. И. П. Степаненко. — М.: Радио и связь, 1982. — 416 с., ил.

8. Функциональные устройства на микросхемах / В. З. Найдеров, А. И. Голованов, З. Ф. Юсупов и др.; Под ред. В. З. Найдерова. — М.: Радио и связь, 1985. — 200 с., ил.

9. Ленк Дж. Д. Справочник по проектированию электронных схем / Пер. с англ. В. И. Зубчука и В. П. Сигорского. Под ред. В. П. Сигорского. — К.: Техніка, 1979. — 208 с., ил.

10. Кауфман М., Сидман А.Г. Практическое руководство по роасчетам схем в электронике: Справочник. В 2-х т. Т.1: Пер. с англ. / Под ред. Ф. Н. Покровского. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 368 с., ил.


^ КРИТЕРІЇ ОЦІНЮВАННЯ ВІДПОВІДІ ВСТУПНИКА

Вступнику пропонується 25 тестових завдань, що відповідають програмі фахового вступного випробування.

^ Кількість правильних відповідей

Критерії оцінювання

Оцінка

0-12

Абітурієнт володіє матеріалом на рівні елементарного розпізнання і відтворення окремих фактів, елементів, об'єктів

Не задовільно

13-17

Абітурієнт володіє матеріалом на рівні окремих фрагментів, що становлять незначну частину матеріалу

Задовільно

18-22

Абітурієнт володіє матеріалом, проте припускається незначних помилок при відтворенні

Добре

23-25

Абітурієнт відтворює матеріал, виявляє ґрунтовні знання і розуміння основних положень

Відмінно



Схожі:

Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка Для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка Для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка Для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка Для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка Для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconПояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст» iconВідкритий міжнародний університет пояснювальна записка для прийому осіб, які на основі освітньо-кваліфікаційного рівня «молодший спеціаліст»
«молодший спеціаліст» вступають для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня «бакалавр», Правилами прийому до Відкритого міжнародного...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©lib2.znaimo.com.ua 2000-2015
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи

Разработка сайта — Веб студия Адаманов